微机械加工-复杂机械器件的结构检测显微镜

微机械加工-复杂机械器件的结构检测显微镜

    氧化物埋层工艺    该工艺还正处于研发中，它是在注氧隔离技术(SIMOX)的基础上开发出来的，SIMOX技术开始是用来制作IC②电路用的硅一绝缘体(SOI)晶片。氧化物埋层技术是利用二氧化硅掩埋层的腐蚀特性来制作微结构。用相应的离子注入技术将氧注入硅衬底以后，采用高温退火使氧离子与硅发生反应形成二氧化硅的氧化物埋层。剩余的单晶硅薄层仍能进行外延层的生长，外延层厚度范围从几微米到几十微米。    在微机械加工中，将二氧化硅埋层用作腐蚀停止。例如，像氢氧化钾这样的腐蚀剂的腐蚀速率在腐蚀剂到达二氧化硅层时明显减慢。不管怎样，这一工艺能够通过适当注入氧的方法制作带有腐蚀图形的二氧化硅掩埋层。
硅熔融键合任何复杂机械器件的结构都对单个部件的加工和部件的装配有所要求