表面粗糙度对薄膜电路-混合集成电路检测显微镜

表面粗糙度对薄膜电路-混合集成电路检测显微镜
混合集成电路对基片的要求
  1.基片平整度、粗糙度向  目前的薄膜集成电路，大部分直接做在基片上，为了保证能得到很好的工艺重复性，和便于自动化生产，基片表面一定要非常平整，同时表面粗糙度对薄膜电路（特别是薄膜电容器）的成品率影响非常大。薄膜电路基片的粗糙度应小于1000埃，而厚膜电路基片的粗糙度可略差一些，例如对膜厚为10-25微米的厚膜，基片的粗糙度应小于3微米。  2.良好的电气性能  基片应该具有良好的绝缘性能，即要有向的电阻率，随着混合集成电路在微波波段应用。  3.高的导热系数  随着集成度的提高和运用功率的增加，在一些元、器件，特别是大功率晶体管和电阻器附近，会发生大量的焦耳热。如果这些热量不及时散发出去，将使电路过热而损坏，因此，高的导热系数有时成为大功率电路选择基片的重要条件。  4.与其它材料相匹配的热膨胀系数  这种热膨胀系数的匹配，可以减少温度循环、温度冲击、焊接和电路功耗变化等引起的热应力，在实践中发现，如果基片与膜状材料的热膨胀系数相差较大（不匹配），热应力足以把膜从基片上剥离下来，或使电路不稳定，基片的热膨胀系数对膜状电阻器值的一致性和电阻温度系数也有直接关系。