多晶体的微观变形和再结晶晶粒直径测量显微镜

多晶体的微观变形和再结晶晶粒直径测量显微镜
多晶体内的选择生长
    单晶体(尤其在低变形量时)的微观变形方式比较简单，但需用比较复杂的实验方法才得以了解单晶体内选择生长的规律。多晶体的微观变形和再结晶方式很复杂，可以想象要获得多晶体内选择生长的规律是相当困难的。有时要借助某些偶然的机会才能观察到多晶体内的选择生长现象。在这方面，人们对纯铝多晶体作了较多的工作。
一般来说，冷变形金属在进行初次再结晶之前总可以发生某种回复过程。这一过程的明显程度与金属的层错能密切相关。由于高层错能金属冷变形结构内的位错易于借助攀移而对消或重新排列，因此其回复过程就会变得十分明显。铝是高层错能面心立方金属，冷变形在铝中造成的空位在室温就会完全散失，而回复
过程中位错的大量重新排列可以使冷变形储存能减少一半，从而极大地降低了初次再结晶的驱动力。这应该是回复与未回复样品再结晶速度巨大差异的根本原因。立方取向晶粒在再结晶时虽然有长大的优势，但当样品未作回复处理时，由于强大的再结晶驱动力使其它取向的再结晶核的生长速度也不明显低于立方取向的再结晶核，因此晶粒的选择生长效应会被掩盖住，不能在再结晶过程中起重要作用。